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SSD, HDD를 대체하고 있는 보조 기억 장치 1. SSD란 기계적 구동 부위가 없는 반도체(solid-state, 진공을 대체한 고체 소자)를 사용하는 드라이브이다. NAND 플래시 메모리와 고성능 컨트롤러를 탑재하여 C드라이브 및 HDD의 지위를 대체하고 있는 보조 기억 장치이다.  최초 트랜지스터로부터 시작하여 오늘날에는 각종 반도체를 지칭하며, 메모리 카드 역시 SSD 계열이다. 과거 진공관에서 반도체(트랜지스터)로 변화되는 시기에 진공관과 대비되는 개념으로 처음 사용했으며, 1970년대나 그 이전 생산된 오래된 라디오, TV 등에는 진공관 방식이 아니라는(즉, 신모델이라는) 의미로 제품 전면에 SOLID STATE라고 큼지막하게 쓰여 있었다. 따라서 반도체를 사용한 저장 장치면 모두 SSD 계열이다. 하드 디스크와는 다르게 껍데기를 분해해도.. 2024. 12. 28.
3D 낸드, 수직형 낸드(V-NAND)의 작동 1. 3D 낸드란 3D 낸드는 수직형 낸드(V-NAND)라고도 한다. 트랜지스터 다이의 플래시 메모리 셀을 수직으로 쌓아 저장 집적률을 높인 비휘발성 플래시 메모리의 일종이다. 데이터 무결성을 크게 손상시키지 않고 단일 트랜지스터 다이에 더 많은 셀 레이어를 쌓을수록 스토리지 집적도가 높아진다.  일반적인 3D 낸드 플래시 칩은 개별 레이어 32 ~ 48개를 쉽게 포함할 수 있으며 64단, 96단, 심지어 128단 장치가 출시된다. 레이어를 추가하면 2D 플래시보다 3D 플래시를 제작하는 데 더 어렵고 시간이 많이 소요된다. 그러나 계층은 훨씬 더 짧은 연결 경로로 메모리 장치 내에서 훨씬 더 큰 비트 밀도를 가능하게 하여 더 나은 성능을 가져온다. 오늘날 3D 낸드 플래시 장치는 USB(Universa.. 2024. 12. 28.
TLC, 플래시 메모리 셀 레벨(Triple) 1. TLC란 플래시 메모리의 종류로써 한 셀에 3비트의 데이터를 기록하는 방식이다. 3-bit MLC라고도 한다.  2000년대 도입 초창기에는 2020년대의 QLC 이상으로 내구성이나 안정성이 좋지 않아 기피 대상이었으며 보급형 제품마저 MLC를 사용할 정도로 보급 수준도 낮았다. 이후 기술의 발전으로 성능과 안정성이 크게 향상되어 현재 시장의 주력의 위치에 있는 방식이다. 하이엔드급부터 중저가형까지의 USB 메모리나 SD카드 혹은 SSD에 널리 사용된다.  과거에는 2-bit MLC(DLC) 방식과 비교했을 때 읽기, 쓰기 속도가 모두 느렸으나 기술의 발전에 의해 읽기 속도는 비슷해졌다. 다만 쓰기 속도는 여전히 다소 느린 편이다. 쓰기 작업에서 SLC 캐싱 구간이 끝나면 원래 TLC의 속도가 나오.. 2024. 12. 28.
MLC, 플래시 메모리 셀 레벨(Multi) 1. MLC란 플래시 메모리의 하나의 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장하는 방식이다. 다만, 사실상 한 셀에 2비트의 데이터를 기록하는 방식이라고 통용되고 있다.  SLC의 'Single'에 대응하여 사용된 MLC의 'Multi'란 단어에 대해 엄밀히 말하자면, 사실 3비트나 4비트 모두 MLC라고 부를 수 있다. 다만 MLC가 막 태동했을 시점에 MLC 중 3비트 저장 방식은 몹쓸 물건이었고, 사실상 2비트 저장 방식만이 유일한 MLC 저장 방식이었다. 한동안 이러한 상태가 지속되었고, MLC가 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장하는 방식으로 의미가 굳어지게 되었다. 이후 2비트 MLC와 3비트 MLC를 구별하기 위해 3비트는 TLC, 4비트는 QLC 등으로 별도 용어를 사용하기 시작했으며, 이 논리대.. 2024. 12. 28.
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