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HBM, High Bandwidth Memory 1. HBM의 구조 기존의 GDDR 계열 SGRAM을 대체하고, 보다 고대역폭의 메모리 성능을 달성하기 위해 제안되었으며, 2013년에 반도체 표준협회인 JEDEC에 의해 채택되었다. 메모리 다이를 적층 하여 실리콘을 관통하는 통로(TSV)를 통해 주 프로세서와 통신을 한다는 것으로, 이를 위해서 직접 인쇄 회로 기판 위에 올려지는 GDDR 계열 SGRAM과는 달리 인터포저라는 중간 단계를 필요로 한다.  GDDR의 경우 32개의 핀을 구리 배선으로 연결하면 되므로, 따로 미세 공정이 필요 없었다. 그러나 HBM은 1024개나 되는 미세한 핀을 연결해야 하기 때문에 그대로 기판에 붙일 수 없다. 설령 그대로 붙인다고 하더라도 1024개나 되는 배선을 기판에 구현하여 GPU에 연결하는 것도 만만치 않은 일.. 2025. 1. 18.
UFS, Universal Flash Storage 1. UFS란 2011년 2월에 표준이 최초로 공개된 새 플래시 메모리 규격이다. 물리적으로는 MIPI의 M-PHY 인터페이스를 채택하여 레인당 5.8 Gbps 속도로 두 개의 레인을 사용하면 최대 11.6 Gbps 대역폭을 가지도록 정해졌고, 링크 계층은 MIPI의 UniPro를 채택하여 그 위에 UTP 전송 계층을 올리도록 만들어졌다. SW적으로는 SCSI 명령어 세트를 서브셋으로 차용했다. 즉, 이미 있는 표준인 M-PHY, UniPro, SCSI를 조합하여 시장에서 빨리 채택되도록 의도했으나, UFS 1.0 표준은 사장됐고, UFS 2.0 표준을 따르는 제품이 2015년에 나왔으니, 실제로는 4년 넘게 걸린 셈이다.  디지털 카메라, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터 등 임베디드 시스템을 위한 플래시 스토.. 2025. 1. 15.
DRAM, Dynamic random-access memory 1. DRAM이란 동적 램, 또는 디램(DRAM, Dynamic random-access memory)은 임의 접근 기억 장치(random-access memory)의 한 종류로, 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(capacitor)에 저장하는 기억 장치이다. 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만, 결국 축전기가 전자를 누전하므로 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 '동적(dynamic)'이란 명칭이 주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(volatile memory)에 속한다. 2. DRAM의 역사 제2차 세계 대전 기간 중.. 2025. 1. 8.
NAND, NOR flash memory에 대하여 Flash memory는 EEPROM의 변형이며, 전원 공급 없이도 기록된 내용을 보존할 수 있는 ROM의 성격과 읽기/쓰기가 모두 가능한 RAM의 성격을 모두 가지고 있는 메모리이다.  Flash memory는 대표적인 비휘발성 메모리로써, D램처럼 refresh를 하지 않아도 데이터가 지워지지 않는 특성을 가진다. 그래서 우리 주위에 USB로 많이 사용된다. 그 종류로는 크게 NAND, NOR가 있는데, 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 NAND flash와 병렬로 연결된 NOR flash로 구분된다.  NAND와 NOR flash memory의 이름은 각각 NMOS NAND logic gate와 NMOS logic gate 구조에서 따왔다고 한다. NAND flash memory.. 2025. 1. 8.
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