3D NAND2 3D 낸드, 수직형 낸드(V-NAND)의 작동 1. 3D 낸드란 3D 낸드는 수직형 낸드(V-NAND)라고도 한다. 트랜지스터 다이의 플래시 메모리 셀을 수직으로 쌓아 저장 집적률을 높인 비휘발성 플래시 메모리의 일종이다. 데이터 무결성을 크게 손상시키지 않고 단일 트랜지스터 다이에 더 많은 셀 레이어를 쌓을수록 스토리지 집적도가 높아진다. 일반적인 3D 낸드 플래시 칩은 개별 레이어 32 ~ 48개를 쉽게 포함할 수 있으며 64단, 96단, 심지어 128단 장치가 출시된다. 레이어를 추가하면 2D 플래시보다 3D 플래시를 제작하는 데 더 어렵고 시간이 많이 소요된다. 그러나 계층은 훨씬 더 짧은 연결 경로로 메모리 장치 내에서 훨씬 더 큰 비트 밀도를 가능하게 하여 더 나은 성능을 가져온다. 오늘날 3D 낸드 플래시 장치는 USB(Universa.. 2024. 12. 28. TLC, 플래시 메모리 셀 레벨(Triple) 1. TLC란 플래시 메모리의 종류로써 한 셀에 3비트의 데이터를 기록하는 방식이다. 3-bit MLC라고도 한다. 2000년대 도입 초창기에는 2020년대의 QLC 이상으로 내구성이나 안정성이 좋지 않아 기피 대상이었으며 보급형 제품마저 MLC를 사용할 정도로 보급 수준도 낮았다. 이후 기술의 발전으로 성능과 안정성이 크게 향상되어 현재 시장의 주력의 위치에 있는 방식이다. 하이엔드급부터 중저가형까지의 USB 메모리나 SD카드 혹은 SSD에 널리 사용된다. 과거에는 2-bit MLC(DLC) 방식과 비교했을 때 읽기, 쓰기 속도가 모두 느렸으나 기술의 발전에 의해 읽기 속도는 비슷해졌다. 다만 쓰기 속도는 여전히 다소 느린 편이다. 쓰기 작업에서 SLC 캐싱 구간이 끝나면 원래 TLC의 속도가 나오.. 2024. 12. 28. 이전 1 다음
