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반도체9

TLC, 플래시 메모리 셀 레벨(Triple) 1. TLC란 플래시 메모리의 종류로써 한 셀에 3비트의 데이터를 기록하는 방식이다. 3-bit MLC라고도 한다.  2000년대 도입 초창기에는 2020년대의 QLC 이상으로 내구성이나 안정성이 좋지 않아 기피 대상이었으며 보급형 제품마저 MLC를 사용할 정도로 보급 수준도 낮았다. 이후 기술의 발전으로 성능과 안정성이 크게 향상되어 현재 시장의 주력의 위치에 있는 방식이다. 하이엔드급부터 중저가형까지의 USB 메모리나 SD카드 혹은 SSD에 널리 사용된다.  과거에는 2-bit MLC(DLC) 방식과 비교했을 때 읽기, 쓰기 속도가 모두 느렸으나 기술의 발전에 의해 읽기 속도는 비슷해졌다. 다만 쓰기 속도는 여전히 다소 느린 편이다. 쓰기 작업에서 SLC 캐싱 구간이 끝나면 원래 TLC의 속도가 나오.. 2024. 12. 28.
MLC, 플래시 메모리 셀 레벨(Multi) 1. MLC란 플래시 메모리의 하나의 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장하는 방식이다. 다만, 사실상 한 셀에 2비트의 데이터를 기록하는 방식이라고 통용되고 있다.  SLC의 'Single'에 대응하여 사용된 MLC의 'Multi'란 단어에 대해 엄밀히 말하자면, 사실 3비트나 4비트 모두 MLC라고 부를 수 있다. 다만 MLC가 막 태동했을 시점에 MLC 중 3비트 저장 방식은 몹쓸 물건이었고, 사실상 2비트 저장 방식만이 유일한 MLC 저장 방식이었다. 한동안 이러한 상태가 지속되었고, MLC가 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장하는 방식으로 의미가 굳어지게 되었다. 이후 2비트 MLC와 3비트 MLC를 구별하기 위해 3비트는 TLC, 4비트는 QLC 등으로 별도 용어를 사용하기 시작했으며, 이 논리대.. 2024. 12. 28.
NAND, 메모리 반도체의 한 종류 1. 메모리 반도체란? 메모리 반도체란 정보(DATA)를 저장하는 용도로 사용되는 반도체를 뜻한다. 메모리 반도체는 RAM과 ROM으로 나누어지는데, RAM은 휘발성 메모리로, DRAM, SRAM으로 나누어지며, DRAM은 단기간에 메모리를 저장하고, 전원이 꺼지면 정보가 삭제되는 휘발성 메모리이다. SRAM은 주로 시스템 반도체에서 사용되며, 속도가 빠르기 때문에 CPU, GPU 등에 주로 사용된다. ROM은 비휘발성 메모리로, 주로 flash 메모리라고 불리며, 현재는 NAND를 사용하기 때문에 ROM=NAND라고 생각할 수 있다. NAND는 메모리에 정보를 저장하고, 전원이 꺼져도 지속적으로 정보를 유지하기 때문에 비휘발성 메모리이다. 2. NAND NAND의 저장 원리는, control gate에.. 2024. 12. 24.

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