1. DRAM이란
동적 램, 또는 디램(DRAM, Dynamic random-access memory)은 임의 접근 기억 장치(random-access memory)의 한 종류로, 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(capacitor)에 저장하는 기억 장치이다. 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만, 결국 축전기가 전자를 누전하므로 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 '동적(dynamic)'이란 명칭이 주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(volatile memory)에 속한다.
2. DRAM의 역사
제2차 세계 대전 기간 중 블레츨리 파크에서 사용된, 코드명 Aquarius라는 암호 해독 머신은 고정 배선 형태의 동적 메모리를 장착하였다.
1964년, IBM에서 일하던 아놀드 파버와 유진(Eugene Schlig)은 트랜지스터 게이트와 터널 다이오드 래치를 이용하여 고정 배선 형태의 메모리 셀을 만들었다. 래치를 두 개의 트랜지스터와 두 개의 레지스터로 대체하였으며, 이 구성은 Farber-Schlig 셀로 부른다. 1965년 IBM에서 벤자민 아구스타와 그의 팀은 이 Farber-Schlig 셀을 기반으로 한 16비트 실리콘 메모리 칩을 만들었으며, 여기에 80개의 트랜지스터, 64개의 레지스터, 4개의 다이오드가 포함되어 있다. 1966년 로버트 H. 데나드 박사가 IBM 왓슨 연구소에서 DRAM을 발명하였다.
3. DRAM의 장점
DRAM 사용의 주요 이점 중 하나는 다른 유형의 RAM 보다 빠른 속도를 제공한다는 것입니다. 이는 느린 유형의 RAM을 사용하는 경우보다 컴퓨터가 데이터를 훨씬 더 빠르게 처리할 수 있음을 의미한다. 이러한 속도 이점은 게임, 비디오 편집, 3D 렌더링과 같이 속도가 필수적인 애플리케이션에 이상적이다.
밀도가 높아서 다른 종류의 RAM보다 더 적은 공간에 더 많은 비트를 저장할 수 있다. 이는 SRAM이나 ROM에 비해 동일한 양의 데이터를 저장하기 위해 물리적 공간이 덜 필요하므로 장치 크기를 줄이는 데 도움이 된다. 이는 작은 폼 팩터가 필요하지만, 작동을 지원하기에 충분한 메모리가 필요한 스마트폰 및 태블릿과 같은 모바일 장치에 매력적인 옵션이다.
DRAM은 다른 형태의 RAM에 비해 상대적으로 저렴하므로, 새 장비를 구입하거나 기존 시스템을 업그레이드할 때 소비자의 전체 비용을 낮추는 데 도움이 된다. 또한, 저렴한 비용으로 인해 장치 제조업체는 제품 가격을 크게 높이지 않고도 더 많은 양의 메모리를 포함할 수 있다.
DRAM 사용의 또 다른 큰 이점은 SRAM이나 ROM과 같은 다른 형태의 RAM에 비해 작동하는 데 필요한 트랜지스터 수가 적기 때문에 전력 소비가 낮다.
정리하자면, 일반적인 정적 RAM인 SRAM 메모리 셀은 필요한 트랜지스터가 여섯 개인 데 비해 DRAM은 필요한 트랜지스터가 한 개에 불과하므로 간단한 기술로 설계되어 있다. 이러한 단순함을 고려했을 때, DRAM은 매우 높은 수준의 용량 집적도를 달성할 수 있다. DRAM은 방대한 양의 데이터를 저장할 수 있다. 또한, DRAM은 프로세싱 중에 자체적으로 새로고침과 삭제가 가능하다. 아울러 DRAM은 SRAM에 비해 비용이 훨씬 더 저렴하며, 메모리 용량을 훨씬 더 높일 수 있다.
4. DRAM 속도
DRAM 속도는 MHz(메가헤르츠) 단위로 측정되며, 숫자가 높을수록 속도가 빠르다. 일반적으로 RAM이 빠를수록 컴퓨터가 주 메모리에서 데이터를 읽고 쓸 수 있는 속도가 빨라진다.
즉, RAM이 더 빠르면 latency가 줄어들고, 더 빠르게 데이터에 액세스할 수 있다. 예를 들어, 두 대의 컴퓨터에 동일한 프로세서가 있지만 한 대의 DRAM이 다른 컴퓨터보다 2배 빠른 속도로 작동하는 경우, 해당 컴퓨터는 느린 컴퓨터보다 훨씬 더 나은 성능을 발휘할 가능성이 높다.
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